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CMOS 2.0 正在推進半導(dǎo)體拓展極限
- 關(guān)鍵Imec在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在推動CMOS 2.0的發(fā)展，CMOS 2.0通過將片上系統(tǒng)（SoC）劃分為專門的功能層來優(yōu)化芯片設(shè)計。CMOS 2.0 利用先進的 3D 互連和背面供電網(wǎng)絡(luò) （BSPDN） 來提高電源效率并實現(xiàn) SoC 內(nèi)不同功能的異構(gòu)堆疊。背面連接和 BSPDN 有助于晶圓兩側(cè)電源和信號的無縫集成，減少紅外壓降并增強移動 SoC 和其他應(yīng)用的整體性能。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，imec 最近在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在為 CMOS 2.0 鋪平道路，這是
- 關(guān)鍵字： CMOS 2.0 半導(dǎo)體
走進芯片：CMOS反相器
- 以一個實際的CMOS反相器實物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實踐中，快速而準確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅實的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個P型MOSFET和一個N型MOSFET組成。這兩個晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個互補對稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號為低電平時，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
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GlobalFoundries 與中國代工廠合作，進行本地化汽車級 CMOS 生產(chǎn)
- 盡管第三季度前景疲軟，受消費者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國采取大膽行動。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國為中國”戰(zhàn)略，首期將啟動汽車級 CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其 新聞稿 和 IT Home 的報道。如 IT之家所強調(diào)，并援引公司高管的話，目標訂單來自在中國有需求的國內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時，無需客戶重新開發(fā)或重新認證其芯片設(shè)計。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財報記錄，
- 關(guān)鍵字： CMOS 汽車電子 傳感器
CMOS 2.0：后納米芯片時代的分層邏輯
- 五十多年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個簡單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個新節(jié)點在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測的提升，但這個公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動性能提升正在減少。為了保持進步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
- 關(guān)鍵字： CMOS 2.0 納米 分層邏輯
全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
- 在高速視覺應(yīng)用的競技場中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠遠不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢，并權(quán)衡光學(xué)格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
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臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵
- 市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用，未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計迭代進入第
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這一領(lǐng)域芯片，重度依賴臺積電
- 英特爾和三星正在研發(fā)先進的制程節(jié)點和先進的封裝技術(shù)，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺積電。大型語言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴展。更強大的 LLM 模型推動了需求，并需要更多的計算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機、CPU、存儲和 DRAM。目前，大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會更高。臺積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場份額。臺積電生產(chǎn)：Nv
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2D CMOS，下一個飛躍
- 二維材料憑借其原子級厚度和高載流子遷移率，提供了一種極具前景的替代方案。
- 關(guān)鍵字： CMOS
激光雷達掃壞CMOS，難道汽車都要變成“光棱坦克”了？
- 激光雷達，對于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻，它是自動駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力，激光雷達能夠?qū)崟r生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖，精準檢測并追蹤其他車輛、行人、障礙物等，為自動駕駛決策系統(tǒng)提供精準且可靠的數(shù)據(jù)支持，是保障自動駕駛汽車安全行駛、實現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石，正推動著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時，各位讀者有沒有想過，這些越來越多激光雷達，會逐漸開始危害我們的財產(chǎn)安全，而首當(dāng)其沖的就是手機
- 關(guān)鍵字： 激光雷達 CMOS 攝影 ADAS
Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展
- 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對其獨特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院 （MIT） 的研究人員于 2012
- 關(guān)鍵字： Finwave 短期投資 GaN FinFET
“最后也是最好的FINFET節(jié)點”
- 在該公司的北美技術(shù)研討會上，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源。“我們的目標是讓集成芯片性能成為一個平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
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CMOS可靠性測試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？
- 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術(shù)的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測試的有力補充。在NBTI（負偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗中，應(yīng)力/測量循環(huán)通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
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CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了？
- 攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設(shè)備的核心部件，廣泛應(yīng)用于智能手機、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測等領(lǐng)域。以下是國內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點和代表性型號：從智能手機到自動駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測，CIS的身影無處不在。隨著技術(shù)不斷演進，CIS市場格局也在悄然變化。今天，我們就來一次全景掃描，盤點國內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢力。當(dāng)年最缺芯片的時候，我別的不擔(dān)心，最擔(dān)心買不到索尼的Sensor，結(jié)果一開始我們用中國臺灣的可以替代
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臺積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開 蘋果首發(fā)
- 3月31日消息，據(jù)媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預(yù)計今年下半年正式進入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺積電已經(jīng)做到了高達60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬片晶圓，最大設(shè)計產(chǎn)能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營收，這一數(shù)字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領(lǐng)域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預(yù)計iP
- 關(guān)鍵字： 臺積電 2nm 量產(chǎn) 蘋果首發(fā) 晶圓 GAAFET架構(gòu) 3nm FinFET
圖像傳感器選擇標準多？成像性能必須排第一
- 當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時，圖像傳感器的選擇是設(shè)計和開發(fā)各種設(shè)備過程中一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設(shè)備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進行復(fù)雜的評估，每個標準都會影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標準的考慮因素多種多樣，錯綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中，圖像傳感器可以說是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號，通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
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